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沟道电流
channel current
- 高电压、大电流N沟道MOSFET越来越广泛地应用于大功率的电力电子设备中。
High voltage, high current N-channel MOSFETs have been applied to numerous high power designs. - 非晶硅薄膜晶体管由于其较高的沟道电流温度系数而被用于非致冷型红外探测器。
Because of high temperature coefficient of drain current(TCC), a-Si thin film transistor(TFT) has been applied to uncooled infrared sensors. - 采用平面选择注入隔离工艺制作 MESFET及旁栅电极 ，通过改变半导体特性测试仪的延迟时间参数 ，深入研究了不同沟道电流的数据采集时间对旁栅效应迟滞现象的影响 。
The influence of different data collection time of channel current on the side gating hysteresis effect is studied by changing the delay time of semiconductor characteristic testing set.
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